TRONG
ET3718A35SCD
Liên hệ
Mô tả chung
Dòng ET3718A được sản xuất bằng công nghệ CMOS, bên trong bao gồm các tấm hội trường ngang có độ nhạy cao, logic ngủ/thức để điều khiển chế độ, bộ tạo dao động trên chip công suất thấp, chuỗi tín hiệu tương tự có độ nhiễu thấp với tính năng khử bù động, bộ so sánh độ trễ và trình điều khiển đầu ra.
Sản phẩm phản ứng với từ trường cực Bắc hoặc cực Nam. Khi mật độ từ thông (B) lớn hơn điểm vận hành (BOP), đầu ra sẽ được bật (Thấp). Và đầu ra sẽ bị tắt (Cao) khi mật độ từ thông (B) thấp hơn điểm giải phóng (BRP).
Dòng ET3718A cung cấp nhiều gói khác nhau cho khách hàng: DFN4 & SSOT-23 để gắn trên bề mặt và TO-92S phẳng để gắn xuyên lỗ. Tất cả các gói đều tuân thủ RoHS.
Đặc điểm kỹ thuật
Vật mẫu
Đặc trưng
- Công nghệ CMOS
- Phát hiện cực: Phát hiện cực đa cực, cực S hoặc cực N
- Phạm vi VCC hoạt động 1,65 ~ 5,5V
- -40°C đến +85°C Nhiệt độ hoạt động
- Tùy chọn gói: DFN4(1.2×1.6)
- Tùy chọn độ nhạy từ: BOP=3,5 mT typ.
- Dạng đầu ra: Đầu ra cống hở Nch, đầu ra CMOS
- Tiêu thụ năng lượng nano:
- Dòng cung trung bình =500nA (VCC = 1.8V)
- Tuân thủ RoHS
Tài liệu kỹ thuật
| Kiểu | Tiêu đề | Định dạng | Ngày |
|---|---|---|---|
| Bảng dữ liệu | Dòng ET3718A | 2026-01-23 |
