TRONG
EM02N08F
Liên hệ
Đặc điểm kỹ thuật
Vật mẫu
Các tính năng chính của EM02N08F
- VDS= 20 V, ID = 0,75 A
- RDS(bật) < 380mΩ @ VGS = 4,5 V
- RDS(bật) < 450mΩ @ VGS = 2,5 V
- RDS(bật) < 800mΩ @ VGS = 1,8 V
- Chuyển đổi rất nhanh
- Công nghệ MOSFET rãnh
- Điện áp ngưỡng thấp
- Thiết bị miễn phí Pb
- ESD được bảo vệ
- Đóng gói: DFN1006-3L
