EM02N08F 일반 설명

EM02N08F는 20VDS DFN1006-3L 패키지 N채널 트렌치 MOSFET입니다.

EM02N08F 주요 특징

  • VDS= 20V, ID = 0.75A
  • RDS(켜짐) < 380mΩ @ VGS = 4.5V
  • RDS(켜짐) < 450mΩ @ VGS = 2.5V
  • RDS(켜짐) < 800mΩ @ VGS = 1.8V
  • 매우 빠른 전환
  • 트렌치 MOSFET 기술
  • 낮은 임계 전압
  • 무연 장치
  • ESD 보호
  • 패키지: DFN1006-3L

EM02N08F 기술 문서

유형 제목 체재 날짜
데이터시트 EM02N08F PDF 2026-10-26

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