EM02N08F
EM02N08F Description générale
EM02N08F est un MOSFET à tranchée à canal N 20VDS DFN1006-3L
EM02N08F Principales caractéristiques
- VDS = 20 V, ID = 0,75 A
- RDS (activé) < 380 mΩ @ VGS = 4,5 V
- RDS (activé) < 450 mΩ @ VGS = 2,5 V
- RDS (activé) < 800 mΩ @ VGS = 1,8 V
- Commutation très rapide
- Technologie MOSFET de tranchée
- Tension de seuil bas
- Appareil sans plomb
- Protection ESD
- Colis : DFN1006-3L

