EM02N08F

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EM02N08F Description générale

EM02N08F est un MOSFET à tranchée à canal N 20VDS DFN1006-3L

EM02N08F Principales caractéristiques

  • VDS = 20 V, ID = 0,75 A
  • RDS (activé) < 380 mΩ @ VGS = 4,5 V
  • RDS (activé) < 450 mΩ @ VGS = 2,5 V
  • RDS (activé) < 800 mΩ @ VGS = 1,8 V
  • Commutation très rapide
  • Technologie MOSFET de tranchée
  • Tension de seuil bas
  • Appareil sans plomb
  • Protection ESD
  • Colis : DFN1006-3L

Documentation technique EM02N08F

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Fiche de données EM02N08F PDF 2026-10-26

Exemple d'application gratuit, fournir diverses solutions

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