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ET516XXBAM
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Allgemeine Beschreibung
Der ET516XXBAM ist ein 300-mA-LDO mit automatischer Entladungsfunktion. Er verwendet einen fortschrittlichen CMOS-Prozess und ein PMOSFET-Durchgangsgerät, um ein hohes Stromversorgungsunterdrückungsverhältnis (PSRR), geringes Rauschen, geringen Dropout, niedrigen Erdstrom, schnellen Start und hervorragende Ausgangsgenauigkeit zu erreichen. Der ET51533YBAM ist mit einem 1,0 μF-Keramik-Eingangs- und Ausgangskondensator stabil und verwendet eine präzise Spannungsreferenz und Rückkopplungsschleife, um eine hervorragende Regelung und ein hervorragendes Einschwingverhalten zu erreichen.
Spezifikation
Probe
Merkmale
- Großer Eingangsspannungsbereich von 1,9 V bis 5,5 V
- Bis zu 300 mA Laststrom
- Standardmäßige feste Ausgangsspannung 3,3 V
- Ein sehr niedriger IQ liegt typischerweise bei 45 µA
- Der niedrige Dropout beträgt typischerweise 180 mV bei 3,3 V bei 300 mA Last
- Sehr hoher PSRR: 75 dB bei 1 kHz
- Sehr geringes Rauschen beträgt 60 uVrms
- Automatische Entladefunktion
- Hervorragendes Last-/Leitungstransientenverhalten
- Automotive AEC-Q100 Klasse 2 qualifiziert
Technische Dokumentation
| Typ | Titel | Format | Datum |
|---|---|---|---|
| Datenblatt | ET516XXBAM Datenblatt | 2026-10-10 |
