EMR12P02T1

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Allgemeine Beschreibung

EMR12P02T1 ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET im DFN2020-6L-Gehäuse mit -20 VDS

Merkmale

  • VDS = -20 V, ID = -11,5 A
  • RDS(ein) < 17 mΩ bei VGS = -4,5 V
  • RDS(ein) < 22 mΩ bei VGS = -2,5 V
  • DFN2020-6L-Paket

Technische Dokumentation

Typ Titel Format Datum
Datenblatt EMR12P02T1 Datenblatt PDF 2026-10-05

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