EM02P18F

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Allgemeine Beschreibung

EM02P18F ist ein P-Kanal-Erweiterungs-MOSFET im DFN1006-3L-Gehäuse mit -20 VDS

Merkmale

  • VDS = -20 V, ID = -1,8 A
  • RDS(ein) < 135 mΩ bei VGS = -4,5 V
  • RDS(ein) < 180 mΩ bei VGS = -2,5 V
  • DFN1006-3L-Paket

Technische Dokumentation

Typ Titel Format Datum
Datenblatt EM02P18F Datenblatt PDF 2026-10-12

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