IN
EM02N08F
Kontakt
EM02N08F Allgemeine Beschreibung
EM02N08F ist ein N-Kanal-Trench-MOSFET im DFN1006-3L-Gehäuse mit 20 VDS
Spezifikation
Probe
EM02N08F Hauptmerkmale
- VDS= 20 V, ID = 0,75 A
- RDS(ein) < 380 mΩ bei VGS = 4,5 V
- RDS(ein) < 450 mΩ bei VGS = 2,5 V
- RDS(on) < 800 mΩ bei VGS = 1,8 V
- Sehr schnelles Umschalten
- Trench-MOSFET-Technologie
- Niedrige Schwellenspannung
- Pb-freies Gerät
- ESD-geschützt
- Paket: DFN1006-3L
